有(yǒu)消息稱，
網上(shàng)流傳出一(yī)份疑似深圳第三代半ε♠導體(tǐ)研究院發布的(de)《解散通(tōng)告》，其中>'稱該研究院決定
按照(zhào)官方說(shuō)法，該研究院面向2030國(guó)家 ≠×±(jiā)第三代半導體(tǐ)戰略需求，↕÷圍繞建設世界科(kē)技(jì)強國(guó)的(de)戰✘∑略目标，依托第三代半導體(tǐ)産業(yè)技(jì↕≤)術(shù)創新戰略聯盟，通(tōng)過資源整合、優勢互補、錯(c¥λ←₽uò)位發展，創新體(tǐ)制(zhì)機(∑♥☆ jī)制(zhì)打造的(de)開(kāi)放(fàng)式、國(guó)際化₩§↔(huà)、全鏈條的(de)第三代半導體(tǐ)協同創新平↔<台。
研究院立足深圳、覆蓋粵港澳大(dà)灣區(qū)、面向全國(guó)，力→☆¶±争成為(wèi)國(guó)家(jiā)第三代半導體(tǐλ✘≥)技(jì)術(shù)創新中心，推動中國(guó™<)第三代半導體(tǐ)全産業(yè)鏈進入世界先進₹αΩ"行(xíng)列。
截至目前，深圳市(shì)第三代半導體(tǐ)研究院官方渠≤✘γ道(dào)還(hái)沒有(yǒu)任何消息公布↓≥Ωβ，官網也(yě)能(néng)正常打開(kāi)。
第一(yī)代半導體(tǐ)材料主要(yào)是(shì)♦≠♠$指矽（Si）、鍺（Ge）元素半導體(tǐ)™$±，是(shì)半導體(tǐ)分(fēn)立器(qì)件(jiàn< )、集成電(diàn)路(lù)和(hé)太陽能(néλ♥¶™ng)(000591,股吧(ba))電(diàn)池的(de)最®₽基礎材料。
第二代半導體(tǐ)材料是(shì)指化(hu§£↕∑à)合物(wù)半導體(tǐ)材料，如(rú)砷化(huà)镓（G®€aAs）、銻化(huà)铟（InSb）、磷化(huà)铟ε≤®（InP），以及三元化(huà)合物(wù)半✔ε導體(tǐ)材料，如(rú)鋁砷化(huà)镓（GaAsAl）、磷砷♥化(huà)镓（GaAsP）等。
還(hái)有(yǒu)一(yī)些(xiē)固溶體(tǐ)半導體(tǐ)≠✘≤材料，如(rú)鍺矽（Ge-Si）、砷化(huà)镓-磷化(huà)镓（G↓→aAs-GaP）等；玻璃半導體(tǐ)（又(yòu)稱非晶态半導體(tǐ)♦♣δ'）材料，如(rú)非晶矽、玻璃态氧化(huà)物(wù)§©€半導體(tǐ)等；有(yǒu)機(jī)半導體(tǐ₹←≈)材料，如(rú)酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。
它們主要(yào)用(yòng)于制(zh≈♦§ì)作(zuò)高(gāo)速、高(gāo)頻(pín)、→π大(dà)功率以及發光(guāng)電(γ∏diàn)子(zǐ)器(qì)件(jiàn)，是(shìλε)制(zhì)作(zuò)高(gāo)性能(néng)微(wēi)波、毫米® π波器(qì)件(jiàn)及發光(guāng)器(qì★ )件(jiàn)的(de)優良材料。
它們具有(yǒu)更寬的(de)禁帶寬度、更高(gāo)•✔的(de)擊穿電(diàn)場(chǎng)、更高(gσ≥āo)的(de)熱(rè)導率、更大(dà)的δ€σ(de)電(diàn)子(zǐ)飽和(hé)速度、更" ↔∞高(gāo)的(de)抗輻射能(néng)力，更适合制(zhì)作∞σ(zuò)高(gāo)溫、高(gāo)頻(pín)、抗輻射及₹>δγ大(dà)功率器(qì)件(jiàn)。
從(cóng)目前第三代半導體(tǐ)材料及器(qì)件(jiàn≤)的(de)研究來(lái)看(kàn)，，而Zσ¥€nO、金(jīn)剛石、氮化(huà)鋁等第三代半導β↑§體(tǐ)材料的(de)研究尚屬起步階段。
當前我國(guó)發展第三代半導體(tǐ)及其器(qì✔¥)件(jiàn)的(de)最大(dà)瓶頸是(shì)原材料。我國(↑£guó) SiC 和(hé) GaN 材料的(de)制(zhΩ÷↔ì)備與質量等問(wèn)題亟待破解。
目前我國(guó)對(duì) SiC "π材料制(zhì)備的(de)設備尚為(w≤'®èi)空(kōng)缺，大(dà)多(duō)數(shùφ€)設備還(hái)依賴進口。國(guó)內(nè£☆i)開(kāi)展 SiC、GaN 材料和(hé)器(qì)件(j≠©¶iàn)方面的(de)研究工(gōng)作(zuò)起步♣"比較晚，與國(guó)外(wài)相(xiàng)比水(shuǐ)平還(h♥£>¶ái)較低(dī)，缺少(shǎo)原始創新的(de"∞)專利。
因此，發展第三代半導體(tǐ)材料和(hé)器(qì)件(jià→$n)的(de)步伐有(yǒu)待加速。
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