國(guó)産半導體(tǐ)廠(chǎng)商正✔λ♦®在一(yī)步步追趕國(guó)際先進水☆→φ(shuǐ)平，日(rì)前華虹半導體(tǐ)宣布，
華虹指出，擁有(yǒu)更佳的(de)電(diàn)性參數(shù)，并且得 •↔Ω(de)益于12英寸制(zhì)程的(de)穩定性，良率優異，為(wèi)數(" shù)字電(diàn)源、數(shù)字音(yīn)頻(pín)功放(fσ☆ ≤àng)等芯片應用(yòng)提供了(le)更πλ×↑具競争力的(de)制(zhì)造方案。
90nm BCD工(gōng)藝還(hái)是(shì)先進工(gōπ∏ng)藝？對(duì)不(bù)了(le)解半導體(tǐ)工(γ•₹gōng)藝的(de)人(rén)來(lái)說(shuō)可(kě)能(¶§≤∞néng)真有(yǒu)這(zhè)個(gè)疑問(wèn)，這♥™(zhè)個(gè)新工(gōng)藝的λ©♣'(de)重點是(shì)BCD――BIPOLAR-CMOS-DMOS，是(♥πshì)ST意法半導體(tǐ)在80年(γnián)代發明(míng)的(de)功率芯片技(jì)術✔(shù)。
BCD是(shì)一(yī)種複雜(zá)的(de)矽芯片制(zhì)造工"≈(gōng)藝，，包括用(yòng)于高(gāo)精度處理(lǐ)模拟信号的δ©(de)雙極晶體(tǐ)管，用(yòng€↔σ)于設計(jì)數(shù)字控制(zhì)電(di ♣&àn)路(lù)的(de)CMOS（互補金(jīn)屬氧化(huà)物(w↔♣≠ù)半導體(tǐ)）和(hé)用(yòng)于開σ∞✘(kāi)發電(diàn)源和(hé)高(gāo)壓開÷γ(kāi)關器(qì)件(jiàn)的(de)DMOS（雙擴散金(jīn)α★屬氧化(huà)物(wù)半導體(tǐ)）。
ST意法目前依然是(shì)全球領先的(de)$π≠↑BCD工(gōng)藝制(zhì)造商，35年(nián)來(l ♣ái)生(shēng)産了(le)500萬片晶圓，售出400億顆芯≤'&片，僅2020年(nián)就(jiù)售出近(jìn)30億顆芯片✘ΩΩ☆，工(gōng)藝發展了(le)十代了(leΩ↕♣)，此前主要(yào)是(shì)350nm、π>180nm、110nm等，
從(cóng)這(zhè)一(yī)點上(shàngφ✘ ✔)來(lái)看(kàn)，華虹的(de)90nm BCD∞±∏←工(gōng)藝确實是(shì)該領域的(de)≥₩β™先進工(gōng)藝，技(jì)術(shù)優勢明(míng)顯，而中Ω"¥芯國(guó)際等國(guó)內(nèi)÷®≤其他(tā)代工(gōng)廠(chǎng)也(yě)在開¥♠(kāi)發90nm BCD工(gōng)藝，華虹的(de)進度也(yě)是 φ ™(shì)領先的(de)。
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